隨著半導體行業的發展，半導體行業的應用范圍在增加，半導體行業的分支也逐漸增多，半導體行業開始一步步走向成熟。

　　1.起源，美國，垂直整合模式

　　1950s，半導體行業于起源于美國，主要由系統廠商主導。全球半導體產業的最初形態為垂直整合的運營模式，即企業內設有半導體產業所有的制造部門，僅用于滿足企業自身產品的需求。

　　2.家電，美國→日本，IDM模式

　　1970s，美國將裝配產業轉移到日本，半導體產業轉變為IDM(IntegratedDeviceManufacture，集成器件制造)模式，即負責從設計、制造到封裝測試所有的流程。與垂直整合模式不同，IDM企業的芯片產品是為了滿足其他系統廠商的需求。隨著家電產業與半導體產業相互促進發展，日本孵化了索尼、東芝等廠商。我國大部分分立器件生產企業也采用該類模式。

　　3.PC，美日→韓國、臺灣地區，代工模式

　　1990s，隨著PC興起，存儲產業從美國轉向日本后又開始轉向了韓國，孕育出三星、海力士等廠商。同時，臺灣積體電路公司成立后，開啟了晶圓代工(Foundry)模式，解決了要想設計芯片必須巨額投資晶圓制造產線的問題，拉開了垂直代工的序幕，無產線的設計公司(Fabless)紛紛成立，傳統IDM廠商英特爾、三星等紛紛加入晶圓代工行列，垂直分工模式逐漸成為主流，形成設計(Fabless)→制造(Foundry)→封測(OSAT)三大環節。

　　4.智能手機，全球－－->中國大陸

　　2010s，隨著大陸智能手機品牌全球市場份額持續提升，催生了對半導體的強勁需求，加之國家對半導體行業的大力支持以及人才、技術、資本的產業環境不斷成熟，全球半導體產業醞釀第三次產業轉移，即向大陸轉移趨勢逐漸顯現。

　　半導體產業發展至今經歷了三個階段，第一代半導體材料以硅(Si)為代表;再到以砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導體材料;現在逐漸過渡到以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)等寬禁帶為代表的第三代半導體材料。

　　以GaN、SiC為代表的第三代半導體材料最大的優點在于能夠適應高壓，高頻和高溫的極端環境，性能大幅提升。由于SiC和GaN的禁帶寬度遠大于Si和GaAs，相應的寬禁帶半導體的最高工作溫度要高于第一、第二代半導體材料。擊穿場強和飽和熱導率也遠大于Si和GaAs。因此，它們是以5G時代為特點的信息產業的理想材料。

　　根據SIA數據，2016全球半導體下游終端需求主要以通信類(含智能手機)占比為31.5%，PC/平板占比為29.5%，消費電子占比13.5%，汽車電子占比11.6%。

　　除了傳統的3C行業，半導體行業還將在一些物聯網和區塊鏈等新技術方面發揮自己的獨特作用，這些行業也將推進半導體行業的發展。